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三星电子展示3D晶圆封装技术 可用于5纳米和7纳米制程

字号+ 作者:admin 来源:seo博客 2020-08-15 15:15 我要评论( )

【TechWeb】8月14日消息,据台湾媒体报道,三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”,称这种垂直堆叠的封装方法,可用于7纳米制程,能提高该公司晶圆代工能力。 ......

【TechWeb】8月14日消息,据台湾媒体报道,三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”,称这种垂直堆叠的封装方法,可用于7纳米制程,能提高该公司晶圆代工能力。

三星电子展示3D晶圆封装技术 可用于5纳米和7纳米制程

图片来自三星电子官方

三星的3D IC封装技术X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV),能让速度和能源效益大幅提升,以协助解决次世代应用严苛的表现需求,如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。

三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技术,确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节点时,也能稳定联通。

三星称,X-Cube可用于5纳米和7纳米制程。有了X-Cube技术,IC设计师打造符合自身需求的定制化解决方案时,将有更多灵活性。

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